CBSE
Multiple Choice Questions16
14
10
11
એક ધાતુના ઑક્સાઇડનું અણુસૂત્ર MO છે, તો તે ધાતુના ફૉસ્ફેટ સંયોજનનું અણુસૂત્ર ........... થાય.
MnO3
M2(NO3)2
M(NO3)3
M3(PO4)2
z
w
x
y
A.
z
તેની બાહ્યતમ કક્ષામાં 7 ઈલેક્ટ્રૉન છે, તેથી તે એક ઈલેક્ટ્રૉન મેળવવાની પ્રબળ વૃત્તિ ધરાવે છે, તેથી તે ઈલેક્ટ્રોનની આપલે દ્વારા બંધ બનાવે છે. જેથી તેમાં આયનીય બંધ બનાવવાની ક્ષમતા પ્રબળ હોય છે. તેની બાહ્યતમ કક્ષામાં 7 ઈલેક્ટ્રૉન છે, તેથી તે એક ઈલેક્ટ્રૉન મેળવવાની પ્રબળ વૃત્તિ ધરાવે છે, તેથી તે ઈલેક્ટ્રોનની આપલે દ્વારા બંધ બનાવે છે. જેથી તેમાં આયનીય બંધ બનાવવાની ક્ષમતા પ્રબળ હોય છે. KFમાં F-ની આયનીય ત્રિજ્યા F કરતાં વધુ છે, તો K+ ની આયનીય ત્રિજ્યા ..............
F- કરતાં વધુ
F- જેટલી
K કરતાં ઓછી
એકેય નહી
એક ધાતુંના ફૉસ્ફેટ સંયોજનનું અણુસૂત્ર MPO4 છે, તો તે ધાતુના નાઇટ્રેટ સંયોજનનું અણુસૂત્ર ........... થાય.
MnO3
M2(NO3)2
M(NO3)3
M(NO3)
નીચેના પૈકી શેનું ગનલબિંદુ સૌથી વધુ હશે ?
NaBr
Nal
NaF
NaCl
RbCl, MgCl2
MgCl2, BeCl2
RbCl, BeCl2
LiCl, RbCl
XCl
X3Cl
XCl2
XCl3
34
16
18
20
શેમાં વિદ્યુત સંયોજક બંધ રચાય છે ?
| GCHGJ12119821, |
NaCl
PF5
XeF4
Br2
