CBSE
[Rn] 5f2 7s2
[Rn] 5f° 6d2 7s2
[Rn] 5f2 6d1 7s1
[Rn] 5f1 6d1 7s2
Cu ની સ્થાયી ઑક્સિડેશન અવસ્થામાં 3d કક્ષક અપૂર્ણ ભરાયેલી છે.
Cu ની ભૂમિ-અવસ્થામાં 3d કક્ષક પૂર્ણ ભરાયેલી છે.
Cu ની ભૂમિ-અવસ્થામાં 3d કક્ષક અપૂર્ણ ભરાયેલી છે.
Cu ની ઑક્સિડેશન અવસ્થામાં 3d કક્ષક પૂર્ણ ભરાયેલી છે.
f
p
s
d
ભૂમિ-અવસ્થામાં d-કક્ષક ઈલેક્ટ્રોનથી અપૂર્ણ ભરાયેલી હોય
કોઈ પણ ઑક્સિડેશન અવસ્થામાં d-કક્ષક ઈલેક્ટ્રૉનથી અપૂર્ણ ભરાયેલી હોય
કોઈ પણ ઑક્સિડેશન અવસ્થામાં d-કક્ષક ઈલેક્ટ્રૉનથી પૂર્ણ ભરાયેલા હોય.
A અને B
ભૌતિક ગુણધર્મોને આધારે
રાસાયણિક ગુણધર્મોને આધારે
ઈલેક્ટૉન રચનાને આધારે
પાયોગિક પરિણામોને આધારે
વધુ વિદ્યુત ધનમય અને વધુ વિદ્યુત ઋણમય
વધુ વિદ્યુત ધનમય અને ઓછા વિદ્યુત ધનમય
ઓછા વિદ્યુત ધનમય અને વધુ વિદ્યુત ઋણમય
ઓછા વિદ્યુત ધનમય અને ઓછા વિદ્યુત ઋણમય
d
f
p
s
(n-1)d1-9 ns1-2
(n-1)d1-10 ns1
(n-1)d1-10 ns1-2
આપેલ પૈકી એક પણ નહી
4s કક્ષામાં રહેલા ઈલેક્ટ્રૉનનું કેન્દ્ર પરત્વેનું આકર્ષણબળ 3d કક્ષામાં રહેલા ઈલેક્ટ્રૉનની સાપેક્ષે વધું છે.
4s કક્ષકનાં મુખ્ય ક્વૉન્ટમ આંકનું મૂલ્ય વધુ છે.
4s કક્ષામાં રહેલા ઈલક્ટ્રૉનનુ કેન્દ્ર પરત્વેનું આકર્ષણબળ 3d કક્ષમાં રહેલા ઈલેક્ટ્રૉનની સાપેક્ષે ઓછું છે.
4s કક્ષકના મુક્ય ક્વૉન્ટમ આંકનું મૂલ્ય વધુ છે.
C.
4s કક્ષામાં રહેલા ઈલક્ટ્રૉનનુ કેન્દ્ર પરત્વેનું આકર્ષણબળ 3d કક્ષમાં રહેલા ઈલેક્ટ્રૉનની સાપેક્ષે ઓછું છે.
ધાતુ તત્વો
અર્ધ ધાતુ તત્વો
અધાતુ તત્વો
બધાં જ